Семинар 10

 ИТСН

Информационное сообщение

22 июня 2017 г. в ВЦ РАН имени А.А.Дородницына ФИЦ ИУ РАН состоится десятое заседание междисциплинарного научно-практического семинара по проблеме

«Математическое моделирование в материаловедении электронных наноструктур»
под научным руководством академика Ю.Г.Евтушенко и академика Ю.А.Рыжова.

Программа заседания:

  1. Современные технологии компьютерного моделирования в области материаловедения наноразмерных систем (по материалам конференции EMRS-2017, Страсбург).
    К.К. Абгарян, зав. отделом ВЦ РАН
    11:00 – 11:30, обсуждение 10 мин
  2. Тенденции развития СВЧ-электроники (по материалам конференции CS. International, 2017, Брюссель).
    11:40 – 12:10, обсуждение 10 мин
  3. Перерыв
    12:20 – 12:40
  4. Современные модели дефектообразования в CdTe.
    С.П. Кобелева, к.ф.-м.н., доцент НИТУ "МИСИС"
    12:40 – 13:10, обсуждение 10 мин
  5. Особенности технологии приборных гетероструктур на основе AlGaN/GaN.
    К.Л. Енишерлова, д.т.н., зав. лабораторией АО "НПП ПУЛЬСАР"
    13:20 – 13:50, обсуждение 10 мин

Дискуссия по обсуждаемой проблеме 13:40-14:00

Заседание состоится по адресу: г. Москва, ул. Вавилова, дом 40, 3 этаж, конференц-зал Начало регистрации: 10.30, начало заседания 11.00

Контактное лицо: Сеченых Полина Алексеевна (ул. Вавилова дом 40, ком. 121)
тел.: 8 495 938 2867;
моб.: 8(967) 029 84 20;
факс: 8 499 135 61 59;
e-mail: matmodel2013@gmail.com

Для обеспечения допуска в ВЦ РАН, просим участников семинара срочно сообщить ФИО, место работы, должность, контактный телефон. Проход на территорию ВЦ РАН осуществляется по списку при предъявлении паспорта.

Директор-координатор НОЦ «Инновации и технологии создания наноматериалов»,
зав. отделом ВЦ РАН ФИЦ ИУ РАН, Абгарян Каринэ Карленовна
моб.: 8 903 108 03 40
e-mail: kristal83@mail.ru