Семинар 12

 ИТСН

Информационное сообщение

22 ноября 2018 г. в ВЦ РАН имени А.А.Дородницына ФИЦ ИУ РАН состоится 12-е заседание междисциплинарного научно-практического семинара по проблеме

«Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов»
под научным руководством академика Ю.Г.Евтушенко

Тема заседания:

«Новые направления и возможности применения информационных технологий в области создания перспективных материалов для наноэлектроники»

  1. Цифровая платформа для научных исследований как важнейший компонент развития цифровой экономики
    Зам. директора ФИЦ ИУ РАН, д.т.н., Зацаринный А.А.
    11:00 – 11:30, обсуждение 10 мин
  2. Многомасштабное моделирование в материаловедении электронных компонентов
    Зав.отд. ФИЦ ИУ РАН Абгарян К.К.
    11:40 – 12:10, обсуждение 10 мин
  3. Клеточно-автоматные методы и модели в современной микроэлектронике
    С.н.с. АО «НИИМЭ» Матюшкин И.В.
    Клеточно-автоматная модель метода перспективной литографии. Направленная самосборка
    Инженер АО НИИМЭ Литаврин М.В. (аспирант)
    12:20 – 13:00
    Перерыв 13:00-13:20
  4. Интеграционная платформа для решения задач многомасштабного моделирования в наноэлектронике
    Зав.отд. ФИЦ ИУ РАН Абгарян К.К.,
    н.с. ФИЦ ИУ РАН Гаврилов Е.С. (докладчик)
    13:25 – 13:40, обсуждение 5 мин
  5. Информационные технологии цифровой платформы ФИЦ ИУ РАН для решения задач моделирования в материаловедении
    Нач. управления ФИЦ ИУ РАН Кондрашев В.А.,
    нач. отдела ФИЦ ИУ РАН Волович К.И.(докладчик)
    13:45 – 14:00, обсуждение 5 мин
  6. Модель аппаратной реализации искусственного нейрона с динамической функцией активации и бинарным множеством входных и выходных сигналов
    М.н.с. АО НИИМЭ Теплов Г.С.(аспирант)
    14:05 – 14:20, обсуждение 5 мин

Дискуссия по обсуждаемым проблемам 14:25-14:40

Заседание состоится по адресу: г. Москва, ул. Вавилова, дом 40, 3 этаж, конференц-зал

Начало регистрации: 10:30, начало заседания 11:00

Контактное лицо: Сеченых Полина Алексеевна (ул. Вавилова дом 40, ком. 121)
тел.: 8 495 938 2867;
моб.: 8 967 029 84 20;
e-mail: matmodel2013@gmail.com

Для обеспечения допуска в ВЦ РАН, просим участников семинара срочно сообщить ФИО, место работы, должность, контактный телефон. Проход на территорию ВЦ РАН осуществляется по списку при предъявлении паспорта.

Директор-координатор НОЦ «Инновации и технологии создания наноматериалов»,
зав. отделом ВЦ РАН ФИЦ ИУ РАН, Абгарян Каринэ Карленовна
моб.: 8 903 108 03 40
e-mail: kristal83@mail.ru