Семинар 2

ИТСН

Информационное сообщение

13 июня 2013 г. в ВЦ РАН имени А.А.Дородницына состоится второе заседание междисциплинарного научно-практического семинара по проблеме
«Математическое моделирование в материаловедении электронных наноструктур»
под руководством академика Ю.Г.Евтушенко и академика Ю.А.Рыжова

Программа второго заседания.
Доклады:

  1. Образование и эволюция дефектов в материалах и электронных наноструктурах.
    • Соболев Николай Алексеевич, ФТИ им. А.Ф.Иоффе, Санкт – Петербург 11.00-11.30, обсуждение 15 мин
  2. «Кинтехлаб»
    • Книжник Андрей Александрович . ООО «Кинтехлаб», Москва. 11.45 — 12.15, обсуждение 15 мин.
    Перерыв 12.30-13.00. Кофе-брейк
  3. Дистанционное моделирование процессов получения полупроводниковых материалов.
    • Простомолотов Анатолий Иванович, ИПМ РАН, Москва. 13.00- 13.30, обсуждение 15 мин.
  4. Задачи компьютерного моделирования в пьезо- и микроэлектронике.
    • Итальянцев Александр Георгиевич, ОАО «НИИМЭ и МИКРОН», Зеленоград 13.45-14.15, обсуждение 15 мин.
Дискуссия по обсуждаемой проблеме 14.30-15.00
Заседание состоится по адресу: г. Москва, ул. Вавилова, дом 40, 3 этаж конференц-зал
Начало регистрации: 10.30, начало заседания 11.00
Контакты:
Абгарян Карина Карленовна, Сеченых Полина Анатольевна
Телефон: 8 495 938 28 67 ( ВЦ РАН, комната 158), 8 903 108 03 40 моб., Факс: 8 499 135 61 59
e-mail: kristal83@mail.ru

Для обеспечения допуска в ВЦ РАН, просим участников семинара срочно сообщить ФИО, место работы, должность, контактный телефон. Проход на территорию ВЦ РАН осуществляется по списку при предъявлении паспорта.

Директор-координатор НОЦ «Инновации и технологии создания наноматериалов», ВЦ РАН
Абгарян К.К.