Информационное сообщение
31 октября 2013 г. в ВЦ РАН имени А.А.Дородницына состоится третье заседание междисциплинарного
научно-практического семинара по проблеме
«Математическое моделирование в материаловедении электронных наноструктур»
под научным руководством академика Ю.Г.Евтушенко и академика Ю.А.Рыжова
Программа третьего заседания.
Доклады:
- Современное состояние и перспективы кремниевых MNEMS
член-корр. РАН В.Ф. Лукичев, ФТИ РАН
11.00-11.30, обсуждение 10 мин
- Исследования и разработки полупроводниковых светодиодов на основе нитрида галлия —
проблемы математического моделирования.
профессор А.Э. Юнович, Физический факультет МГУ им. М.Ломоносова
11.40-12.25, обсуждение 10 мин
- О потенциале применения эпитаксиальных ростовых процессов при создании
приборов на основе нитридных гетероструктур.
М.Л. Занавескин, А.А. Андреев, И.О. Майборода, П.А. Перминов, Ю.В. Федоров
НИЦ «Курчатовский институт», ИСВЧПЭ РАН
12.35- 13.20, обсуждение 10 мин.
Перерыв 13.35-14.00
- Доклад специалистов ВЦ РАН им. Дородницына
14.00-14.30, обсуждение 10 мин.
Дискуссия по обсуждаемой проблеме 14.40-15.00
Заседание состоится по адресу: г. Москва, ул. Вавилова, дом 40, 3 этаж, конференц-зал
Начало регистрации: 10.30, начало заседания 11.00
Контактное лицо: Сеченых Полина Алексеевна
Телефон: 8 495 938 28 67 (ул. Вавилова дом 42, ком. 158)
8(967) 029 84 20 моб.,
Факс: 8 499 135 61 59
e-mail: kristal83@mail.ru
Для обеспечения допуска в ВЦ РАН, просим участников семинара срочно сообщить ФИО, место работы,
должность, контактный телефон. Проход на территорию ВЦ РАН осуществляется по списку при
предъявлении паспорта.
Директор-координатор НОЦ «Инновации и технологии
создания наноматериалов», ВЦ РАН,
8 495 938 28 67 (ул. Вавилова дом 42, ком. 158)
8 903 108 03 40 моб.
Абгарян Карина Карленовна