Семинар 3

ИТСН

Информационное сообщение

31 октября 2013 г. в ВЦ РАН имени А.А.Дородницына состоится третье заседание междисциплинарного научно-практического семинара по проблеме
«Математическое моделирование в материаловедении электронных наноструктур»
под научным руководством академика Ю.Г.Евтушенко и академика Ю.А.Рыжова

Программа третьего заседания.
Доклады:
  1. Современное состояние и перспективы кремниевых MNEMS
    член-корр. РАН В.Ф. Лукичев, ФТИ РАН
    11.00-11.30, обсуждение 10 мин
  2. Исследования и разработки полупроводниковых светодиодов на основе нитрида галлия — проблемы математического моделирования.
    профессор А.Э. Юнович, Физический факультет МГУ им. М.Ломоносова
    11.40-12.25, обсуждение 10 мин
  3. О потенциале применения эпитаксиальных ростовых процессов при создании приборов на основе нитридных гетероструктур.
    М.Л. Занавескин, А.А. Андреев, И.О. Майборода, П.А. Перминов, Ю.В. Федоров НИЦ «Курчатовский институт», ИСВЧПЭ РАН
    12.35- 13.20, обсуждение 10 мин.
    Перерыв 13.35-14.00
  4. Доклад специалистов ВЦ РАН им. Дородницына
    14.00-14.30, обсуждение 10 мин.

Дискуссия по обсуждаемой проблеме 14.40-15.00
Заседание состоится по адресу: г. Москва, ул. Вавилова, дом 40, 3 этаж, конференц-зал
Начало регистрации: 10.30, начало заседания 11.00

Контактное лицо: Сеченых Полина Алексеевна
Телефон: 8 495 938 28 67 (ул. Вавилова дом 42, ком. 158)
8(967) 029 84 20 моб.,
Факс: 8 499 135 61 59
e-mail: kristal83@mail.ru

Для обеспечения допуска в ВЦ РАН, просим участников семинара срочно сообщить ФИО, место работы, должность, контактный телефон. Проход на территорию ВЦ РАН осуществляется по списку при предъявлении паспорта.

Директор-координатор НОЦ «Инновации и технологии создания наноматериалов», ВЦ РАН,
8 495 938 28 67 (ул. Вавилова дом 42, ком. 158)
8 903 108 03 40 моб.
Абгарян Карина Карленовна